Technology Card Detail
ion implantation in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe heterostructures
技术卡详情页先提供聚合后的名称、别名、分类、支撑论文和版本占位，后续再接人工修订和版本管理。
返回技术卡列表已关联
基础信息
分类:待分类
支撑论文:1
别名数:1
更新时间:2026年5月25日 13:40
版本占位
当前版本:PostgreSQL sidecar (qwen3-max)
来源:postgres_sidecar
领域:电子与电气工程 / 光电子学与红外技术
子领域:红外光电探测器 / HgCdTe小像元全耗尽探测器
采用离子注入工艺在分子束外延（MBE）生长的HgCdTe异质结构上制备5微米像元间距的平面型长波红外（LWIR）光电探测器，通过低掺杂浓度与薄吸收层设计，在低偏压下实现全耗尽，显著抑制暗电流与横向串扰。
Aliases
别名与线索
Fully-Depleted Low-Doped Thin-Absorber HgCdTe Small-Pixel Ion Implantation Detector Technology
Supporting Papers