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ion implantation in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe heterostructures

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基础信息

分类: 待分类

支撑论文: 1

别名数: 1

更新时间: 2026/05/25 21:40

版本占位

当前版本: SQLite v1 (qwen3-max)

来源: sqlite

领域: 电子与电气工程 / 光电子学与红外技术

子领域: 红外光电探测器 / HgCdTe小像元全耗尽探测器

采用离子注入工艺在分子束外延（MBE）生长的HgCdTe异质结构上制备5微米像元间距的平面型长波红外（LWIR）光电探测器，通过低掺杂浓度与薄吸收层设计，在低偏压下实现全耗尽，显著抑制暗电流与横向串扰。

Aliases

别名与线索

Fully-Depleted Low-Doped Thin-Absorber HgCdTe Small-Pixel Ion Implantation Detector Technology

Supporting Papers

Small-Pitch HgCdTe Photodetectors

10.1007/s11664-014-3192-4

Revision Surface

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