Technology Card Detail

fully-depleted absorber layer

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基础信息

分类: 待分类

支撑论文: 1

别名数: 1

更新时间: 2026/05/25 21:40

版本占位

当前版本: SQLite v1 (qwen3-max)

来源: sqlite

领域: 电子与电气工程 / 光电子学与红外技术

子领域: 红外光电探测器 / HgCdTe小像元全耗尽探测器

通过降低HgCdTe吸收层掺杂浓度并减薄活性层厚度，在低偏压（约100 mV）下实现全耗尽，从而同时抑制横向扩散串扰、显著降低暗电流（比Rule 07基准低10倍以上），并在无抗反射涂层条件下维持8–10 μm波段40–58%的高量子效率。

Aliases

别名与线索

Fully-Depleted Low-Doping Thin Absorber HgCdTe Small-Pixel Detection Technology

Supporting Papers

Small-Pitch HgCdTe Photodetectors

10.1007/s11664-014-3192-4

Revision Surface

当前版本说明

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