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fully-depleted absorber layer
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基础信息
分类:待分类
支撑论文:1
别名数:1
更新时间:2026年5月25日 13:40
版本占位
当前版本:PostgreSQL sidecar (qwen3-max)
来源:postgres_sidecar
领域:电子与电气工程 / 光电子学与红外技术
子领域:红外光电探测器 / HgCdTe小像元全耗尽探测器
通过降低HgCdTe吸收层掺杂浓度并减薄活性层厚度，在低偏压（约100 mV）下实现全耗尽，从而同时抑制横向扩散串扰、显著降低暗电流（比Rule 07基准低10倍以上），并在无抗反射涂层条件下维持8–10 μm波段40–58%的高量子效率。
Aliases
别名与线索
Fully-Depleted Low-Doping Thin Absorber HgCdTe Small-Pixel Detection Technology
Supporting Papers