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HgCdTe
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基础信息
分类: 待分类
支撑论文: 1
别名数: 1
更新时间: 2026/05/25 21:40
版本占位
当前版本: SQLite v1 (qwen3-max)
来源: sqlite
领域: 电子与电气工程 / 光电子学与红外技术
子领域: 红外光电探测器 / HgCdTe小像元全耗尽探测器
在HgCdTe长波红外（LWIR）探测器中采用全耗尽、低掺杂、薄吸收层结构设计，结合双层平面异质结（DLPH）平台与离子注入工艺，实现5微米像元间距的高性能焦平面阵列。该技术通过降低吸收层掺杂浓度和减薄活性层厚度，在低偏压下实现全耗尽，显著抑制暗电流（比经验基准“Rule 07”低10倍以上）并维持高量子效率（8–10 μm波段达40–58%），同时有效控制横向扩散串扰。
Aliases
别名与线索
Fully-Depleted Low-Doping Thin-Absorber HgCdTe Small-Pixel Detector
Supporting Papers
支撑论文
Revision Surface
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