Technology Card Detail

mechanical exfoliation of single-layer graphene on high-resistivity Si/SiO2

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基础信息

分类:待分类

支撑论文:1

别名数:1

更新时间:2026年5月25日 13:40

版本占位

当前版本:PostgreSQL sidecar (qwen3-max)

来源:postgres_sidecar

领域:电子与电气工程 / 微电子学与半导体器件

子领域:二维材料电子器件制备 / 石墨烯材料转移与衬底集成

采用机械剥离法将单层石墨烯转移至高阻硅（>10 kΩ·cm）衬底上，该衬底表面覆盖300 nm厚热氧化SiO₂层，用于构建双栅石墨烯场效应晶体管的高质量沟道材料平台。

Aliases

别名与线索

Mechanical Exfoliation of Single-Layer Graphene on High-Resistivity Silicon Substrate

Supporting Papers

Dual-Gate Graphene FETs With $f_{T}$ of 50 GHz

10.1109/led.2009.2034876

Revision Surface

当前版本说明

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