Technology Card Detail

mechanical exfoliation of single-layer graphene on high-resistivity Si/SiO2

技术卡详情页先提供聚合后的名称、别名、分类、支撑论文和版本占位，后续再接人工修订和版本管理。

基础信息

分类: 待分类

支撑论文: 1

别名数: 1

更新时间: 2026/05/25 21:40

版本占位

当前版本: PostgreSQL sidecar (qwen3-max)

来源: postgres_sidecar

领域: 电子与电气工程 / 微电子学与半导体器件

子领域: 二维材料电子器件制备 / 石墨烯材料转移与衬底集成

采用机械剥离法将单层石墨烯转移至高阻硅（>10 kΩ·cm）衬底上，该衬底表面覆盖300 nm厚热氧化SiO₂层，用于构建双栅石墨烯场效应晶体管的高质量沟道材料平台。

Aliases

别名与线索

Mechanical Exfoliation of Single-Layer Graphene on High-Resistivity Silicon Substrate

Supporting Papers

Dual-Gate Graphene FETs With $f_{T}$ of 50 GHz

10.1109/led.2009.2034876

Revision Surface

当前版本说明

当前版本由 PostgreSQL tech_card_sidecar 索引读取，正文来自 card.validated.json。

这一块将在后续 phase 接入人工编辑、修改原因、版本历史和自然语言反馈重生成。