Technology Card Detail

12-nm-thick Al2O3 by ALD as top-gate dielectric

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基础信息

分类: 待分类

支撑论文: 1

别名数: 1

更新时间: 2026/05/25 21:40

版本占位

当前版本: PostgreSQL sidecar (qwen3-max)

来源: postgres_sidecar

领域: 电子与电气工程 / 微电子学与半导体器件

子领域: 射频/毫米波半导体器件 / 石墨烯基场效应晶体管（GFET）

采用原子层沉积（ALD）工艺在石墨烯表面制备12纳米厚的Al₂O₃作为顶栅介质层，通过引入自然氧化铝（Al）作为成核层，减少传统高k介质沉积对石墨烯迁移率的损伤，从而维持高达2700 cm²/V·s的载流子迁移率。

Aliases

别名与线索

Graphene Top-Gate Al₂O₃ Dielectric Integration via ALD with Naturally Oxidized Aluminum Nucleation Layer

Supporting Papers

Dual-Gate Graphene FETs With $f_{T}$ of 50 GHz

10.1109/led.2009.2034876

Revision Surface

当前版本说明

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