Technology Card Detail

on-chip microwave measurements up to 30 GHz with de-embedding using 'short' and 'open' structures

技术卡详情页先提供聚合后的名称、别名、分类、支撑论文和版本占位，后续再接人工修订和版本管理。

基础信息

分类: 待分类

支撑论文: 1

别名数: 1

更新时间: 2026/05/25 21:40

版本占位

当前版本: SQLite v1 (qwen3-max)

来源: sqlite

领域: 电子与电气工程 / 微电子学与半导体器件

子领域: 射频/毫米波半导体器件 / 石墨烯基场效应晶体管（GFET）

采用片上微波S参数测量方法，在30 GHz频段内对石墨烯场效应晶体管进行高频性能表征，并利用‘短路（short）’和‘开路（open）’校准结构对焊盘与互连寄生效应进行去嵌处理，从而准确提取器件本征射频参数如截止频率（fT）。

Aliases

别名与线索

On-Chip Microwave De-embedding Measurement Technique for Graphene Transistors Using Short/Open Calibration Structures

Supporting Papers

Dual-Gate Graphene FETs With $f_{T}$ of 50 GHz

10.1109/led.2009.2034876

Revision Surface

当前版本说明

当前版本由 tech_card_ingest_state 直接读取，正文来自 card.validated.json。

这一块将在后续 phase 接入人工编辑、修改原因、版本历史和自然语言反馈重生成。