Technology Card Detail
on-chip microwave measurements up to 30 GHz with de-embedding using 'short' and 'open' structures
技术卡详情页先提供聚合后的名称、别名、分类、支撑论文和版本占位，后续再接人工修订和版本管理。
返回技术卡列表已关联
基础信息
分类:待分类
支撑论文:1
别名数:1
更新时间:2026年5月25日 13:40
版本占位
当前版本:PostgreSQL sidecar (qwen3-max)
来源:postgres_sidecar
领域:电子与电气工程 / 微电子学与半导体器件
子领域:射频/毫米波半导体器件 / 石墨烯基场效应晶体管（GFET）
采用片上微波S参数测量方法，在30 GHz频段内对石墨烯场效应晶体管进行高频性能表征，并利用‘短路（short）’和‘开路（open）’校准结构对焊盘与互连寄生效应进行去嵌处理，从而准确提取器件本征射频参数如截止频率（fT）。
Aliases
别名与线索
On-Chip Microwave De-embedding Measurement Technique for Graphene Transistors Using Short/Open Calibration Structures
Supporting Papers