Technology Card Detail

access resistance reduction via electrostatic doping by back gate

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基础信息

分类:待分类

支撑论文:1

别名数:1

更新时间:2026年5月25日 13:40

版本占位

当前版本:PostgreSQL sidecar (qwen3-max)

来源:postgres_sidecar

领域:电子与电气工程 / 微电子学与半导体器件

子领域:射频/毫米波半导体器件 / 石墨烯基场效应晶体管（GFET）

在双栅石墨烯场效应晶体管中，利用背栅电压对源漏接触区未栅控的单层石墨烯进行静电掺杂，调控其载流子浓度，从而将接入电阻降低一半以上，并实现跨导四倍提升和50 GHz截止频率。

Aliases

别名与线索

Dual-Gate Electrostatic Doping for Access Resistance Reduction in Graphene RF Transistors

Supporting Papers

Dual-Gate Graphene FETs With $f_{T}$ of 50 GHz

10.1109/led.2009.2034876

Revision Surface

当前版本说明

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